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铜合金的塞贝克系数
塞贝克系数可用来表征塞贝克效应的大小。其表达式为S=dV/dT。其中，dT为热电材料上两点间的温度差；dV为相应两点间的温差电动势。热电材料中，当电子为多子时，冷端为负，S为负值；当空穴为多子时，热端为负，S为正值。
它是温差电池（thermocouple）的原理基础，被广泛应用于温度测量及一些功率器件的热管理。热电材料的塞贝克系数（Seebek Coefficient）是其中一个重要的参数。
没区别。材料导电的能力是在电压的作用下，材料分子中外层电子脱离原子核的约束，形成有序的运动。材料中能脱离原子核约束的电子越多，其导电能力就越强，这就是良导体。反之就是绝缘体。
是正数，塞贝克系数源自塞贝克效应，它(Seebeck effect)又称作第一热电效应，是指由于两种不同电导体或半导体的温度差异而引起两种物质间的电压差的热电现象。
我写的答案是这样的：金属seebeck效应产生机理可以从两个方面来分析，1，电子从热端向冷端的扩散.2，电子自由程。若电子从热端向冷端扩散作用是主要的，这样产生的seebeck效应系数为负。
merit) ZT来评估：其中，S为塞贝克系数(thermoelectric power or Seebeck coefficient)，T为绝对温度，σ为电导率，κ为导热系数。为了有一较高热电优值ZT，材料必须有高的塞贝克系数(S)，高的电导率与低的导热系数。
塞贝克系数是什么
1、塞贝克系数可用来表征塞贝克效应的大小。其表达式为S=dV/dT。其中，dT为热电材料上两点间的温度差；dV为相应两点间的温差电动势。热电材料中，当电子为多子时，冷端为负，S为负值；当空穴为多子时，热端为负，S为正值。
2、塞贝克系数会增大。根据查询相关公开信息显示，电子热容增大一倍时，按照塞贝克系数的定义和计算公式，塞贝克系数也会随之增大。塞贝克系数表示的是材料电导率随着温度变化的比率，其计算公式为：α=(1/σ)×(dσ/dT)。
3、塞贝克系数是绝对塞贝克系数的简称，用来表示温差电动势与温度差之间的关系，单位是μVK。金属及其合金的塞贝克系数小，室温下铜的绝对塞贝克系数低于2热电势率，而半导体材料大，可达几百热电势率。
4、是正数，塞贝克系数源自塞贝克效应，它(Seebeck effect)又称作第一热电效应，是指由于两种不同电导体或半导体的温度差异而引起两种物质间的电压差的热电现象。
5、塞贝克系数为半导体材料的温差电动热（称为塞贝克系数）.I为电流强度.To为冷端温度.ATHc为冷、热端间的温差.R为半导体致冷器内电阻 。所以，他们之间并没有多大关系。
6、merit) ZT来评估：其中，S为塞贝克系数(thermoelectric power or Seebeck coefficient)，T为绝对温度，σ为电导率，κ为导热系数。为了有一较高热电优值ZT，材料必须有高的塞贝克系数(S)，高的电导率与低的导热系数。
温度传感器的四种类型及原理
● 接触式传感器——这种类型的传感器需要与被感测对象或介质直接物理接触。它们可以在很大的温度范围内监控固体、液体和气体的温度。● 非接触式传感器——这种类型的传感器不需要与被检测的物体或介质发生任何物理接触。
热敏电阻传感器 热敏电阻传感器主要元件是热敏电阻，当热敏材料周围有热辐射时，它就会吸收辐射热，产生温度升高，引起材料的阻值发生变化。电阻温度检测器（RTD）RTD通常用铂金、铜或镍。
我朋友正好是做这个的，所以我也对它还是有一定的了解的，我这边就简单说一下，温度传感器有四种主要类型：热电偶、热敏电阻、电阻温度检测器和IC温度传感器。
目前主要有热敏电阻、双金属片、集成化半导体温度传感器和热电偶四大类。
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