磁光克尔成像技术-磁光克尔效应测量仪

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磁光克尔效应的简介

克尔效应的这种迅速动作的性质可用来制造几乎无惯性的光的开关——光闸，在高速摄影、光速测量和激光技术中获得了重要应用。

表面磁光克尔效应作为表面磁学的重要实验手段，已被广泛应用于磁有序、磁各向异性、多层膜中的层间耦合以及磁性超薄膜间的相变行为等问题的研究。磁光克尔法是测量材料特性特别是薄膜材料物性的一种有效方法。

磁光效应是指光在磁场中传播时，其偏振状态、传播速度、反射、折射等光学性质发生改变的现象。这些现象主要包括法拉第效应、克尔效应、塞曼效应等。

磁光克尔效应指的是一束线偏振光在磁化了的介质表面反射时，反射光将是椭圆偏振光，而以椭圆的长轴为标志的“ 偏振面” 相对于入射偏振光的偏振面旋转了一定的角度。这个角度通常被称为磁光克尔转角。

kerr效应即克尔效应。简介：指与电场二次方成正比的电感应双折射现象。放在电场中的物质，由于其分子受到电力的作用而发生取向（偏转），呈现各向异性，结果产生双折射，即沿两个不同方向物质对光的折射能力有所不同。

包括塞曼效应、磁光法拉第效应、科顿-穆顿效应和磁光克尔效应等。这些效应均起源于物质的磁化，反映了光与物质磁性间的联系。入射的线偏振光在已磁化的物质表面反射时，振动面发生旋转的现象，1876年由J.克尔发现。

1、电场改变时，通过P2的光强跟着变化，故克尔效应可用来对光波进行调制。液体在电场作用下产生极化，这是产生双折射性的原因。

2、表面磁光克尔效应作为表面磁学的重要实验手段，已被广泛应用于磁有序、磁各向异性、多层膜中的层间耦合以及磁性超薄膜间的相变行为等问题的研究。磁光克尔法是测量材料特性特别是薄膜材料物性的一种有效方法。

3、磁光效应是指光在磁场中传播时，其偏振状态、传播速度、反射、折射等光学性质发生改变的现象。这些现象主要包括法拉第效应、克尔效应、塞曼效应等。

4、磁光克尔效应指的是一束线偏振光在磁化了的介质表面反射时，反射光将是椭圆偏振光，而以椭圆的长轴为标志的“ 偏振面” 相对于入射偏振光的偏振面旋转了一定的角度。这个角度通常被称为磁光克尔转角。

5、磁光克尔是一种利用磁场和光学性质交互作用的现象。它通常用于研究磁性材料的性质和磁域结构。波导是一种将光束引导在其内部进行传输的结构。磁光克尔效应与波导之间没有直接的关系。

6、磁光效应主要有三种，即：法拉第效应、克尔效应、塞曼效应。在光学电流传感器领域，法拉第磁光效应的应用最为广泛。光学电流传感器中磁光介质即磁光效应中具有磁矩的物质，是决定光学电流传感器性能的重要器件。

通过检测该点处磁畴的磁化方向来辨别信息的“0”或“1”。例如，被照射的点为正向磁化，则在该点的反射光磁光克尔转角应为+θk，见图1-2，相反被照射的点为反向磁化，则在该点的反射光磁光克尔转角应为-θk。

年John Kerr在观察偏振光从抛光过的电磁铁磁极反射出来时，发现了磁光克尔效应(magneto-optic Kerr effect)。

最后较为详细的介绍了磁光克尔法测量NiMn多层薄膜的磁滞回线的实验结果可以看出NiMn多层薄膜有明显的磁滞行为，反应了NiMn多层薄膜的铁磁特性。

克尔磁光效应的最重要应用是观察铁磁体的磁畴（见磁介质、铁磁性）。不同的磁畴有不同的自发磁化方向，引起反射光振动面的不同旋转，通过偏振片观察反射光时，将观察到与各磁畴对应的明暗不同的区域。

在加电场后不到10-9秒内就可完成极化过程，撤去电场后在同样短的时间内重新变为各向同性。克尔效应的这种迅速动作的性质可用来制造几乎无惯性的光的开关——光闸，在高速摄影、光速测量和激光技术中获得了重要应用。

磁光效应是指处于磁化状态的物质与光之间发生相互作用而引起的各种光学现象。包括法拉第效应、克尔磁光效应、塞曼效应和科顿-穆顿效应等。这些效应均起源于物质的磁化，反映了光与物质磁性间的联系。

光磁电效应是指在垂直于光束照方向施加外磁场时半导体两侧面间产生电位差的现象。

光照射物质后，物质磁性（如磁化率磁晶各向异性、磁滞回线等）发生变化的现象。光磁效应是一种新出现的物理效应，它有可能运用到地质找矿方面。

磁光效应是光与具有磁矩的物质共同作用的产物。磁光效应主要有三种，即：法拉第效应、克尔效应、塞曼效应。在光学电流传感器领域，法拉第磁光效应的应用最为广泛。

小伙伴们，上文介绍磁光克尔效应测量仪的内容，你了解清楚吗？希望对你有所帮助，任何问题可以给我留言，让我们下期再见吧。